Механизмы излучательной рекомбинации, обусловленные примесями, в полупроводниковых соединениях типа A³B⁵ и A⁴B⁶ [[Микроформа]]: Дис. ... д-ра физ.-мат. наук: Утв. 02.02.90: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: 0589002024,
Вид документа: Диссертации
Автор: Юнович, А. Э.
Опубликовано: М. , 1988
Физические характеристики: 465 с. : ил.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41994150000
005 20080219125720.0
100 # # $a 20080219d1988 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Механизмы излучательной рекомбинации, обусловленные примесями, в полупроводниковых соединениях типа A³B⁵ и A⁴B⁶  $b [Микроформа]  $e Дис. ... д-ра физ.-мат. наук  $e Утв. 02.02.90  $e (01.04.10) 
210 # # $a М.  $d 1988 
215 # # $a 465 с.  $c ил. 
300 # # $a Библиогр.: с. 385-440 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Юнович  $b А. Э.  $g Александр Эммануилович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo