Разработка малогабаритного датчика давления на основе эпитаксиального n-GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) [[Микроформа]]: Дис. ... канд. техн. наук: (05.27.01)

Сохранено в:
Шифр документа: 049100742,
Вид документа: Диссертации
Автор: Шурман, Л. Б.
Опубликовано: Новосибирск , 1990
Физические характеристики: 170 с.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41982610000
005 20080219125548.0
100 # # $a 20080219d1990 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Разработка малогабаритного датчика давления на основе эпитаксиального n-GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x)  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. техн. наук  $e (05.27.01) 
210 # # $a Новосибирск  $d 1990 
215 # # $a 170 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 147-161. - Для служеб. пользования 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Шурман  $b Л. Б.  $g Лариса Борисовна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo