Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs<Cr>, Al{н.инд.}(x) Ga{н.инд.}(1-x), As<Cr> методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Садаев, Б. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1989 |
| Физические характеристики: |
205 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nbm0a22000001id4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr41730070000 | ||
| 005 | 20080219133318.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20080219d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UZ |
| 200 | 1 | # | $a Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs<Cr>, Al{н.инд.}(x) Ga{н.инд.}(1-x), As<Cr> методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе $b [Микроформа] $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Ташкент $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 205 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 182-205 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Садаев $b Б. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |