Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 18.04.90: (01.04.18)

Сохранено в:
Шифр документа: 04900012,
Вид документа: Диссертации
Автор: Исавердиев, А. А.
Опубликовано: М. , 1989
Физические характеристики: 115 с. : ил.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41295410000
005 20080219132450.0
100 # # $a 20080219d1989 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e Утв. 18.04.90  $e (01.04.18) 
210 # # $a М.  $d 1989 
215 # # $a 115 с.  $c ил. 
300 # # $a Библиогр.: с. 102-115 
686 # # $a 01.04.18  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Исавердиев  $b А. А.  $g Андрей Альбертович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo