|
|
|
|
|
00000cam2a22000003ij4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr40789170000 |
| 005 |
20170529101137.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 67 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [76-24785ж]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20080111d1976 |||y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a|||||||000yy
|
| 200 |
1 |
# |
$a Электрические и оптические свойства полупроводников Aiii Bv
$f [ответственный редактор Н. Г. Басов]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$c Наука
$d 1976
|
| 215 |
# |
# |
$a 110, [1] с.
$c ил.
$d 26 см
|
| 225 |
2 |
# |
$a Труды Физического института имени П. Н. Лебедева
$f Академия наук СССР
$v т. 89
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография в конце статей
|
| 327 |
1 |
# |
$a Содержание: Локализация электронов в компенсированном арсениде галлия / И. Д. Воронова
$a Исследование спонтанного и когерентного излучения антимонида индия при двойной инжекции носителей заряда / С. П. Гришечкина
|
| 345 |
# |
# |
$9 1900 экз.
|
| 461 |
# |
1 |
$1 001BY-NLB-br31207
$1 2001
$v Т. 89
|
| 464 |
# |
0 |
$1 2001
$a Локализация электронов в компенсированном арсениде галлия
$1 700 1
$a Воронова
$b И. Д.
$g Ирина Дмитриевна
|
| 464 |
# |
0 |
$1 2001
$a Исследование спонтанного и когерентного излучения антимонида индия при двойной инжекции носителей заряда
$1 700 1
$a Гришечкина
$b С. П.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводниковые соединения - Электрические свойства - Сборники
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводниковые соединения - Оптические свойства - Сборники
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322
|
| 702 |
# |
1 |
$3 BY-NLB-ar2272344
$a Басов
$b Н. Г.
$g Николай Геннадьевич
$c доктор физико-математических наук
$f 1922—2001
$4 340
|
| 711 |
0 |
2 |
$3 BY-NLB-ar3293066
$a Физический институт имени П. Н. Лебедева
$c Москва
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20080111
$g psbo
|
