|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr40472610000 |
| 005 |
20180319150657.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 28 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [87-61732]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20080116d1987 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a UA
|
| 200 |
1 |
# |
$a Фотолюминесценция GaAs и ее использование в полупроводниковом приборостроении
$f Л. Г. Гассанов, Е. П. Лаурс, М. П. Лисипа, Ф. В. Моцный
|
| 210 |
# |
# |
$a Киев
$d 1987
|
| 215 |
# |
# |
$a 71 с.
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препр.
$f АН УССР, Ин-т физики
$v № 11
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 56-71 (121 назв.)
|
| 300 |
# |
# |
$a Авт. на обл. не указаны
|
| 345 |
# |
# |
$9 200 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводниковые приборы
|
| 610 |
0 |
# |
$a Галлий, арсенид - Фотолюминесц
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.382.049.77.002:535.37
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20080116
$g psbo
|
