Исследование электрических и фотоэлектрических свойств P-II переходов в фосфиде галлия: (046): Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук / Туркм. гос. ун-т им. А. М. Горького
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Газаков, О. |
| Опубликовано: | Ашхабад , 1969 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr39223270000 | ||
| 005 | 20071023155636.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [69-109272] |
| 100 | # | # | $a 20071023d1969 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a TM |
| 200 | 1 | # | $a Исследование электрических и фотоэлектрических свойств P-II переходов в фосфиде галлия $e (046) $e Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Туркм. гос. ун-т им. А. М. Горького |
| 210 | # | # | $a Ашхабад $d 1969 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 686 | # | # | $a 046 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Газаков $b О. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |