Гальваномагнитные эффекты в сильных электрических полях при неупругом рассеянии носителей тока в полупроводниках со сложной зонной структурой: (01.049): Автореф. дисс. на соикание учен. степени канд. физ.-мат. наук / Вильнюсский гос. ун-т им. В. Капсукаса

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ145311,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Восилюс, И. И.
Опубликовано: Вильнюс , 1969
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr39081910000
005 20071023154035.0
021 # # $a RU  $b [70-10399а] 
100 # # $a 20071023d1969 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a LT 
200 1 # $a Гальваномагнитные эффекты в сильных электрических полях при неупругом рассеянии носителей тока в полупроводниках со сложной зонной структурой  $e (01.049)  $e Автореф. дисс. на соикание учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f Вильнюсский гос. ун-т им. В. Капсукаса 
210 # # $a Вильнюс  $d 1969 
215 # # $a 15 с. 
686 # # $a 01.049  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Восилюс  $b И. И.  $g Ионас Ионович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071023  $g psbo