![](/themes/root/images/default-cover.png)
Гальваномагнитные эффекты в сильных электрических полях при неупругом рассеянии носителей тока в полупроводниках со сложной зонной структурой: (01.049): Автореф. дисс. на соикание учен. степени канд. физ.-мат. наук / Вильнюсский гос. ун-т им. В. Капсукаса
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Восилюс, И. И. |
Опубликовано: | Вильнюс , 1969 |
Физические характеристики: |
15 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr39081910000 | ||
005 | 20071023154035.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [70-10399а] |
100 | # | # | $a 20071023d1969 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a LT |
200 | 1 | # | $a Гальваномагнитные эффекты в сильных электрических полях при неупругом рассеянии носителей тока в полупроводниках со сложной зонной структурой $e (01.049) $e Автореф. дисс. на соикание учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Вильнюсский гос. ун-т им. В. Капсукаса |
210 | # | # | $a Вильнюс $d 1969 |
215 | # | # | $a 15 с. |
686 | # | # | $a 01.049 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Восилюс $b И. И. $g Ионас Ионович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |