Исследование особенностей инжекционных процессов Bp-i-nструктурах на основе арсенида галлия и фосфида галлия с глубокими уровнями: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Сиб. отд-ние. Ин-т физи ки полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Воронин, С. Т. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1989 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||