Исследование особенностей инжекционных процессов Bp-i-nструктурах на основе арсенида галлия и фосфида галлия с глубокими уровнями: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Сиб. отд-ние. Ин-т физи ки полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Воронин, С. Т. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1989 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr39042870000 | ||
| 005 | 20071023162401.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20071023d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование особенностей инжекционных процессов Bp-i-nструктурах на основе арсенида галлия и фосфида галлия с глубокими уровнями $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ-мат. наук $e (01.04.10) $f АН СССР, Сиб. отд-ние. Ин-т физи ки полупроводников |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 21 (12 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Воронин $b С. Т. $g Сергей Тимофеевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |