Разработка и исследование тестовых структур для контроля параметров полупроводниковых структур методом фотоответа: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.01) / Ереван. политехн. ин-т им. К. Маркса
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бутаев, А. Г. |
| Опубликовано: | Ереван , 1990 |
| Физические характеристики: |
25 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr38192970000 | ||
| 005 | 20071004154455.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20071004d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AM |
| 200 | 1 | # | $a Разработка и исследование тестовых структур для контроля параметров полупроводниковых структур методом фотоответа $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.27.01) $f Ереван. политехн. ин-т им. К. Маркса |
| 210 | # | # | $a Ереван $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 25 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 22-25 (23 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.27.01 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Бутаев $b А. Г. $g Александр Георгиевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071004 $g psbo |