Процессы испарения и роста полупроводников A³B5 при лазерной вакуумной эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН МССР, Ин-т прикладной физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Будяну, В. А. |
| Опубликовано: | Кишинев , 1988 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr38054460000 | ||
| 005 | 20230310101812.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20071004d1988 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a MD |
| 200 | 1 | # | $a Процессы испарения и роста полупроводников A³B5 при лазерной вакуумной эпитаксии $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН МССР, Ин-т прикладной физики |
| 210 | # | # | $a Кишинев $d 1988 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 15-17 (16 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Будяну $b В. А. $g Вадим Андрианович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071004 $g psbo |