|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr38042920000 |
| 005 |
20170828135529.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 10 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [86-101704]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070831d1986 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a UA
|
| 200 |
1 |
# |
$a Влияние лазерного излучения на структурное совершенство бинарных полупроводников
|
| 210 |
# |
# |
$a Киев
$d 1986
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препринт
$f АН УССР, Ин-т проблем материаловедения
$v № 14
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 19-21 (34 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 100 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Лазерное излучение
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Структура
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592:621.373.826
|
| 700 |
# |
1 |
$a Будзуляк
$b И. М.
$g Иван Михайлович
|
| 701 |
# |
1 |
$a Данилевич
$b О. И.
$g Орест Иосифович
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070831
$g psbo
|
