Исследование влияния ИК-излучения на характеристики арсенид-галлиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.01) / АН БССР, Ин-т электроники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бочарова, И. А. |
| Опубликовано: | Мн. , 1989 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr37870330000 | ||
| 005 | 20070831114110.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070831d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a BY |
| 200 | 1 | # | $a Исследование влияния ИК-излучения на характеристики арсенид-галлиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.27.01) $f АН БССР, Ин-т электроники |
| 210 | # | # | $a Мн. $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 20 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17-20 (21 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.27.01 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Бочарова $b И. А. $g Ирина Александровна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070831 $g psbo |