Разработка технологии и исследование характеристик квантоворазмерных лазеров в системе In-Ga-As-P/GaAs, излучающих в диапазоне от 0,91 до 0,74 мкм: Автореф. дис. на соиск. учен. степ.-канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Бежанишвили, Г. Р. |
| Wydane: | Л. , 1990 |
| Opis fizyczny: |
18 с.
|
| Język: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||