Исследование физических явлений в кремнии компенсированном эленентами переходной группы железа, и возможности его использования в полупроводниковой электронике: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бахадырханов, М. К. |
| Опубликовано: | Л. , 1982 |
| Физические характеристики: |
44 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||