Проводимость тонких слоев высокоомных полупроводников, вызванная инъекцией из контакта и возбуждением носителей тока в толще слоя электронной бомбардировкой: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / АН СССР. Ин-т радиотехники и электроники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Балашова, А. П. |
| Опубликовано: | М. , 1964 |
| Физические характеристики: |
25 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr36769470000 | ||
| 005 | 20070828143334.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [64-43372] |
| 100 | # | # | $a 20070828d1964 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Проводимость тонких слоев высокоомных полупроводников, вызванная инъекцией из контакта и возбуждением носителей тока в толще слоя электронной бомбардировкой $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук $f АН СССР. Ин-т радиотехники и электроники |
| 210 | # | # | $a М. $d 1964 |
| 215 | # | # | $a 25 с. |
| 300 | # | # | $a Перед загл. авт.: А. П. Балашова (Алексеева) |
| 700 | # | 1 | $a Балашова $b А. П. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070828 $g psbo |