Исследование свойств полупроводниковых твердых растворов (InAs-CdTe, HgTe-CdTe, Ge-Si) в зависимости от вида и распределения компонентов: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Львов. гос. ун-т им. Ивана Франко
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Балагурова, Е. А. |
Опубликовано: | Львов , 1977 |
Физические характеристики: |
14 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr36748970000 | ||
005 | 20070828153432.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [78-422а] |
100 | # | # | $a 20070828d1977 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Исследование свойств полупроводниковых твердых растворов (InAs-CdTe, HgTe-CdTe, Ge-Si) в зависимости от вида и распределения компонентов $e (01.04.07) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Львов. гос. ун-т им. Ивана Франко |
210 | # | # | $a Львов $d 1977 |
215 | # | # | $a 14 с. $c граф. |
300 | # | # | $a Список лит.: с. 12-14 |
686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Балагурова $b Е. А. $g Екатерина Андреевна |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070828 $g psbo |