Электрохимическое и фотоэлектрохимическое поведение TiO2, GaP, GaAs и гетеросистем на их основе: (02.00.05): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук / АН ГССР, Ин-т неорганич. химии и электрохимии

Сохранено в:
Шифр документа: 50057/86,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Алиев, А. Ш.
Опубликовано: Тбилиси , 1986
Физические характеристики: 21 с. : граф.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr35946990000
005 20221222115035.0
021 # # $a RU  $b [86-18765а] 
100 # # $a 20070808d1986 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a GE 
200 1 # $a Электрохимическое и фотоэлектрохимическое поведение TiO2, GaP, GaAs и гетеросистем на их основе  $e (02.00.05)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук  $f АН ГССР, Ин-т неорганич. химии и электрохимии 
210 # # $a Тбилиси  $d 1986 
215 # # $a 21 с.  $c граф. 
300 # # $a Библиогр.: с. 20-21 (12 назв.) 
686 # # $a 02.00.05  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Алиев  $b А. Ш.  $g Акиф Шыхан оглы 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070808  $g psbo