Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах Ga As - AiGaAs и InP - InGaAs со встроенным потенциальным барьером: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 141611/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Абдуллаев, Х. О.
Опубликовано: Л. , 1991
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
Е-документ: E-документ
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr35510440000
005 20140812083913.0
021 # # $a RU  $b [91-8523а] 
100 # # $a 20070807d1991 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах Ga As - AiGaAs и InP - InGaAs со встроенным потенциальным барьером  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1991 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-16 (5 назв.) 
615 # # $a Белорусский национальный документ 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Абдуллаев  $b Х. О.  $g Хаким Олимжанович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070807  $g psbo 
856 4 # $u https://elib.nlb.by:8070/viewer?markID=BY-NLB-rr35510440000