Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов Ga1-x Ge x Se и Jn 1-x Ge x Se: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Абдуллаев, Г. Б. |
| Опубликовано: | Баку , 1985 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35505270000 | ||
| 005 | 20210114122353.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [85-24148а] |
| 100 | # | # | $a 20070807d1985 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AZ |
| 200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов Ga1-x Ge x Se и Jn 1-x Ge x Se $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Баку $d 1985 |
| 215 | # | # | $a 15 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Азерб. гос. ун-т им. С. М. Кирова. Библиогр.: с. 14-15 (8 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Абдуллаев $b Г. Б. $g Гилал Биннат оглы |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070807 $g psbo |