Внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации в прямозонном полупроводнике типа GaAs: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Абдуллаев, А. |
| Опубликовано: | Кишинев , 1980 |
| Физические характеристики: |
9 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr35504270000 | ||
| 005 | 20070807153114.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [80-1923а] |
| 100 | # | # | $a 20070807d1980 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a MD |
| 200 | 1 | # | $a Внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации в прямозонном полупроводнике типа GaAs $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Кишинев $d 1980 |
| 215 | # | # | $a 9 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Кишин. гос. ун-т им. В. И. Ленина. Библиогр.: с. 9 (6 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Абдуллаев $b А. $g Ахмаджон |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070807 $g psbo |