Особенности экситонного поглощения в тонких монокристаллических слоях GaTe и JeSe

Сохранено в:
Шифр документа: 115974,
Вид документа: Книги
Автор: Абдуллаев, А. Г.
Опубликовано: Баку , 1986
Физические характеристики: 20 с. : рис.
Язык: Русский
Серия: Препр. № 176
Предмет:
00000cam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr35502510000
005 20161005151617.0
010 # # $d Беспл. 
021 # # $a RU  $b [86-47804] 
100 # # $a 20070807d1986 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Особенности экситонного поглощения в тонких монокристаллических слоях GaTe и JeSe 
210 # # $a Баку  $d 1986 
215 # # $a 20 с.  $c рис. 
225 2 # $a Препр.  $f АН АзССР, Ин-т физики  $v № 176 
300 # # $a Библиогр.: с. 15 (17 назв.) 
345 # # $9 70 экз. 
610 0 # $a Экситоны 
610 0 # $a Монокристаллы 
675 # # $a 548.55:537.311.322 
700 # 1 $a Абдуллаев  $b А. Г. 
701 # 1 $a Мехдаев  $b Г. С. 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070807  $g psbo