Исследование концентрации напряжений в осесимметричных полупроводниковых диодах: (01.02.04): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ440372,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ершов, В. С.
Опубликовано: М. , 1982
Физические характеристики: 17 с. : граф.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr35353710000
005 20070807201756.0
021 # # $a RU  $b [82-12808а] 
100 # # $a 20070807d1982 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование концентрации напряжений в осесимметричных полупроводниковых диодах  $e (01.02.04)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук 
210 # # $a М.  $d 1982 
215 # # $a 17 с.  $c граф. 
300 # # $a В надзаг.: Моск. ин-т электрон. машиностроения 
675 # # $a 539.319:621.314.632 
686 # # $a 01.02.04  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Ершов  $b В. С.  $g Вячеслав Серафимович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070807  $g psbo