Влияние кристаллографической полярности граней карбидкремниевых подложек на рост эпитаксиальных слоев и параметры диодных структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Ташкент. гос. ун-т им. В. И. Ленина

Сохранено в:
Шифр документа: 144692/91СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Джапарова, Р. К.
Опубликовано: Ташкент , 1991
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34639070000
005 20070801165646.0
100 # # $a 20070801d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UZ 
200 1 # $a Влияние кристаллографической полярности граней карбидкремниевых подложек на рост эпитаксиальных слоев и параметры диодных структур  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Ташкент. гос. ун-т им. В. И. Ленина 
210 # # $a Ташкент  $d 1991 
215 # # $a 19 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 19 (9 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Джапарова  $b Р. К.  $g Раида Каримджановна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070801  $g psbo