Электрические свойства модифицированных лазерным излучением M-S-структур на основе полупроводников A³B⁵: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Ленингр. гос. техн. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Джаманбалин, К. К. |
| Опубликовано: | Л. , 1990 |
| Физические характеристики: |
12 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr34628120000 | ||
| 005 | 20070801165646.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070801d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Электрические свойства модифицированных лазерным излучением M-S-структур на основе полупроводников A³B⁵ $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Ленингр. гос. техн. ун-т |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 12 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 12 (8 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Джаманбалин $b К. К. $g Кадыргали Конспаевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070801 $g psbo |