![](/themes/root/images/default-cover.png)
Закономерности локализации внедренных атомов, образования и распада радиационных дефектов в полупроводниковых соединениях типа А{в.инд.}(III)B{в.инд.}(V): Автореф. дис на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / НПО "Монокристаллреактив"
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Деев, А. С. |
Опубликовано: | Харьков , 1991 |
Физические характеристики: |
26 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr34493670000 | ||
005 | 20070801162518.0 | ||
100 | # | # | $a 20070801d1991 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Закономерности локализации внедренных атомов, образования и распада радиационных дефектов в полупроводниковых соединениях типа А{в.инд.}(III)B{в.инд.}(V) $e Автореф. дис на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.07) $f НПО "Монокристаллреактив" |
210 | # | # | $a Харьков $d 1991 |
215 | # | # | $a 26 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 23-26 (17 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Деев $b А. С. $g Алексей Степанович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070801 $g psbo |