Рекомбинационные процессы в широкозонных полупроводниках группы А2В6: (049): Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УССР. Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Городецкий, И. Я. |
| Опубликовано: | Киев , 1972 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33791260000 | ||
| 005 | 20070720183823.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [72-10631а] |
| 100 | # | # | $a 20070720d1972 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Рекомбинационные процессы в широкозонных полупроводниках группы А2В6 $e (049) $e Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $f АН УССР. Ин-т полупроводников |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1972 |
| 215 | # | # | $a 19 с. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 19 (14 назв.) |
| 686 | # | # | $a 049 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Городецкий $b И. Я. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070720 $g psbo |