Исследование термовысвечивания в частично скомпенсированных полупроводниках (α-SiC(6H)): Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук: (044) / Киевский гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гоменюк, А. Ф. |
| Опубликовано: | Киев , 1972 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33660920000 | ||
| 005 | 20070720182103.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070720d1972 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Исследование термовысвечивания в частично скомпенсированных полупроводниках (α-SiC(6H)) $e Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (044) $f Киевский гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1972 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 16 (12 назв.) |
| 686 | # | # | $a 044 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Гоменюк $b А. Ф. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070720 $g psbo |