Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)Sb: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ388295,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гермогенов, В. П.
Опубликовано: Томск , 1980
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr33326310000
005 20070719202530.0
100 # # $a 20070719d1980 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)Sb  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.07) 
210 # # $a Томск  $d 1980 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a В надзаг.: Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева. Библиогр.: с. 17-18 (13 назв.) 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гермогенов  $b В. П.  $g Валерий Петрович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070719  $g psbo