Анализ кинетики образования рекомбинационных центров в облученных ионами полупроводниках методом наведенной фотопроводимости: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гедрис, Т. К. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1988 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||