Эффективность и времена излучательных переходов в прямозонном полупроводнике типа Ga As
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гарбузов, Д. З. |
| Опубликовано: | Л. , 1980 |
| Физические характеристики: |
54 с. : черт.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
652 |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||