Эффективность и времена излучательных переходов в прямозонном полупроводнике типа Ga As
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гарбузов, Д. З. |
| Опубликовано: | Л. , 1980 |
| Физические характеристики: |
54 с. : черт.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
652 |
| 00000nam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33163510000 | ||
| 005 | 20070717203734.0 | ||
| 010 | # | # | $d Беспл. |
| 021 | # | # | $a RU $b [80-47192] |
| 100 | # | # | $a 20070717d1980 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Эффективность и времена излучательных переходов в прямозонном полупроводнике типа Ga As |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1980 |
| 215 | # | # | $a 54 с. $c черт. |
| 225 | 2 | # | $a АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе $v 652 |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 53-54 (26 назв.) |
| 345 | # | # | $9 160 экз. |
| 675 | # | # | $a 537.311.322 |
| 700 | # | 1 | $a Гарбузов $b Д. З. $g Дмитрий Залман |
| 701 | # | 1 | $a Халфин $b В. Б. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070717 $g psbo |