|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr32759590000 |
| 005 |
20210430111339.0 |
| 010 |
# |
# |
$d Беспл.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [84-81892]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070717d1984 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a AZ
|
| 200 |
1 |
# |
$a Влияние подложки гетероструктур типа As₂S₃ монокриталлический полупроводник на электрические свойства As₂S₃-пленок
$f Ю. Г. Фаривер, А. И. Байрамов, Т. Д. Джафаров
|
| 210 |
# |
# |
$a Баку
$d 1984
|
| 215 |
# |
# |
$a 14 с.
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препринт
$f АН АзССР, Ин-т физики
$v № 97
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 13-14 (10 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 100 экз.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 610 |
0 |
# |
$a Пленки тонкие
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322
|
| 700 |
# |
1 |
$a Фаривер
$b Ю. Г.
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070717
$g psbo
|
