Высокотемпературная ионная имплантация в кремний: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Тысченко, И. Е. |
| Wydane: | Новосибирск , 1992 |
| Opis fizyczny: |
15 с.
|
| Język: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||