Физические основы роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния из молекулярных потоков в вакууме: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Толомасов, В. А. |
| Опубликовано: | Л. , 1980 |
| Физические характеристики: |
26 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr32179090000 | ||
| 005 | 20070704200035.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070704d1980 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Физические основы роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния из молекулярных потоков в вакууме $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1980 |
| 215 | # | # | $a 26 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина. Библиогр.: с. 24-26 (29 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Толомасов $b В. А. $g Валентин Андреевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070704 $g psbo |