
Исследование глубоких энергетических уровней в светоизлучающих диодах на основе соединений A³B⁵ и A⁴B⁴ методом термостимулированной ЭДС: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск ин-т электронной техники
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Титов, М. Н. |
Опубликовано: | М. , 1976 |
Физические характеристики: |
19 с.
|
Язык: | Русский |
00000cam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr32066250000 | ||
005 | 20190130114714.0 | ||
100 | # | # | $a 20070704d1976 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Исследование глубоких энергетических уровней в светоизлучающих диодах на основе соединений A³B⁵ и A⁴B⁴ методом термостимулированной ЭДС $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Моск ин-т электронной техники |
210 | # | # | $a М. $d 1976 |
215 | # | # | $a 19 с. |
300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 17-19 (15 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Титов $b М. Н. $g Михаил Николаевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070704 $g psbo |