Исследование глубоких энергетических уровней в светоизлучающих диодах на основе соединений A³B⁵ и A⁴B⁴ методом термостимулированной ЭДС: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск ин-т электронной техники

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ309610,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Титов, М. Н.
Опубликовано: М. , 1976
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr32066250000
005 20190130114714.0
100 # # $a 20070704d1976 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование глубоких энергетических уровней в светоизлучающих диодах на основе соединений A³B⁵ и A⁴B⁴ методом термостимулированной ЭДС  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Моск ин-т электронной техники 
210 # # $a М.  $d 1976 
215 # # $a 19 с. 
300 # # $a Список работ авт.: с. 17-19 (15 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Титов  $b М. Н.  $g Михаил Николаевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070704  $g psbo