Многоэлектронные состояния глубоких акцепторных центров в полупроводниках: (01.04.02): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Донецкий гос. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Тележкин, В. А. |
| Опубликовано: | Донецк , 1977 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr31923090000 | ||
| 005 | 20070709152409.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [77-15379а] |
| 100 | # | # | $a 20070709d1977 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Многоэлектронные состояния глубоких акцепторных центров в полупроводниках $e (01.04.02) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Донецкий гос. ун-т |
| 210 | # | # | $a Донецк $d 1977 |
| 215 | # | # | $a 15 с. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 15 (13 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.02 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Тележкин $b В. А. $g Вениамин Александрович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070709 $g psbo |