![](/themes/root/images/default-cover.png)
Резонансное туннелирование электронов через двух- и трехмерную наноструктуры
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Сумецкий, М. Ю. |
Опубликовано: | Л. , 1990 |
Физические характеристики: |
30 с.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Препр.
№ 40 |
Предмет: |
00000cam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr31622580000 | ||
005 | 20161125133515.0 | ||
010 | # | # | $d Беспл. |
100 | # | # | $a 20070629d1990 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Резонансное туннелирование электронов через двух- и трехмерную наноструктуры |
210 | # | # | $a Л. $d 1990 |
215 | # | # | $a 30 с. |
225 | 2 | # | $a Препр. $f АН СССР, НТО, Ин-т аналит. приборостроения $v № 40 |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 26-28 (41 назв.) |
345 | # | # | $9 150 экз. |
610 | 0 | # | $a Электроны |
675 | # | # | $a 530.145 |
700 | # | 1 | $a Сумецкий $b М. Ю. |
701 | # | 1 | $a Фельштын $b М. Л. |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070629 $g psbo |