
Разработка технологии создания и исследование фотонно-инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Захавана ў:
Тып дакумента: | |
---|---|
Аўтар: | Султанов, А. М. |
Апублікавана: | СПб. , 1992 |
Фізіч. характарыстыкі: |
21 с.
|
Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|