Релаксация энергии гетерогенных химических реакций с участием электронной системы кристалла: Третий семинар "Физ. химия поверхности монокристал. полупроводников" 10-12 окт. 1978 г.
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Стыров, В. В. |
Опубликовано: | Новосибирск , 1978 |
Физические характеристики: |
15 с. : черт.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Препринт
19-78 |
00000nam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr31560100000 | ||
005 | 20070629164545.0 | ||
010 | # | # | $d Б. ц. |
021 | # | # | $a RU $b [78-73526] |
100 | # | # | $a 20070629d1978 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Релаксация энергии гетерогенных химических реакций с участием электронной системы кристалла $e Третий семинар "Физ. химия поверхности монокристал. полупроводников" 10-12 окт. 1978 г. |
210 | # | # | $a Новосибирск $d 1978 |
215 | # | # | $a 15 с. $c черт. |
225 | 2 | # | $a Препринт $f АН СССР. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников $v 19-78 |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 13-15 (58 назв.) |
345 | # | # | $9 180 экз. |
675 | # | # | $a 537.311.33+541.183 |
700 | # | 1 | $a Стыров $b В. В. $g Владислав Владимирович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070629 $g psbo |