Теоретическое исследование условий образования приповерхностных примесных профилей в полупроводниках: (02.00.04): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Синдер, М. И. |
| Опубликовано: | М. , 1982 |
| Физические характеристики: |
24 с. : схем.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr30690280000 | ||
| 005 | 20231228162433.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [82-13955а] |
| 100 | # | # | $a 20070615d1982 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Теоретическое исследование условий образования приповерхностных примесных профилей в полупроводниках $e (02.00.04) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a М. $d 1982 |
| 215 | # | # | $a 24 с. $c схем. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т тонкой хим. технологии им. М. В. Ломоносова. Библиогр.: с. 23-24 (5 назв.) |
| 675 | # | # | $a 621.315.592 |
| 686 | # | # | $a 02.00.04 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Синдер $b М. И. $g Михаил Израилевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070615 $g psbo |