Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(x)Py и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(x)Py: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН МССР, Ин-т прикл. физики

Сохранено в:
Шифр документа: 70824/88,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Салихов, Х. М.
Опубликовано: Кишинев , 1988
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr30066290000
005 20070619154814.0
021 # # $a RU  $b [88-6181а] 
100 # # $a 20070619d1988 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a MD 
200 1 # $a Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(x)Py и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(x)Py  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН МССР, Ин-т прикл. физики 
210 # # $a Кишинев  $d 1988 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 17-18 (10 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Салихов  $b Х. М.  $g Хафиз Миргазямович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070619  $g psbo