Исследование электрофизических свойств структур SiO₂-Si: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Русаков, В. В. |
| Опубликовано: | М. , 1978 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr29757320000 | ||
| 005 | 20070611173313.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070611d1978 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование электрофизических свойств структур SiO₂-Si $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1978 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a Для служеб. пользования. В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.: с. 20-21 (15 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Русаков $b В. В. $g Валерий Васильевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070611 $g psbo |