Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Рахимов, О. |
Опубликовано: | Ташкент , 1985 |
Физические характеристики: |
14 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|