Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ509198,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Рахимов, О.
Опубликовано: Ташкент , 1985
Физические характеристики: 14 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr29278050000
005 20070605180312.0
021 # # $a RU  $b [85-19203а] 
100 # # $a 20070605d1985 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UZ 
200 1 # $a Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a Ташкент  $d 1985 
215 # # $a 14 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. Библиогр.: с. 14 (6 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Рахимов  $b О.  $g Одил 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070605  $g psbo