Физические принципы получения структурносовершенных полупроводниковых материалов A²B5 и A²B5, их основные свойства и применение: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УССР, Ин-т полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: 802/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Раренко, И. М.
Опубликовано: Киев , 1985
Физические характеристики: 32 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr29235340000
005 20211227144548.0
100 # # $a 20070604d1985 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Физические принципы получения структурносовершенных полупроводниковых материалов A²B5 и A²B5, их основные свойства и применение  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН УССР, Ин-т полупроводников 
210 # # $a Киев  $d 1985 
215 # # $a 32 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 28-30 (55 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Раренко  $b И. М.  $g Иларий Михайлович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070604  $g psbo