Разработка методики обратного рассеяния протонов средних энергий и исследование радиационных структурных нарушений в тонких ионнолегированных слоях полупроводниковых материалов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ397791СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Разгуляев, И. И.
Опубликовано: М. , 1981
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr29172280000
005 20070604161510.0
100 # # $a 20070604d1981 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Разработка методики обратного рассеяния протонов средних энергий и исследование радиационных структурных нарушений в тонких ионнолегированных слоях полупроводниковых материалов  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a М.  $d 1981 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a В надзаг.: Моск. ин-т стали и сплавов. Библиогр.: с. 2% (7 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Разгуляев  $b И. И.  $g Игорь Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070604  $g psbo