Исследование рекомбинационного излучения полупроводниковых лазеров с электронной накачкой на основе CdS и GaJnAsP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.04)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Прокофьева, С. П. |
| Опубликовано: | М. , 1981 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr28914320000 | ||
| 005 | 20070529194740.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070529d1981 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование рекомбинационного излучения полупроводниковых лазеров с электронной накачкой на основе CdS и GaJnAsP $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.04) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1981 |
| 215 | # | # | $a 22 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: ВНИИ оптико-физ. измерений. Библиогр.: с. 21-22 (8 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.04 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Прокофьева $b С. П. $g Светлана Прокофьевна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070529 $g psbo |