Особенности переноса фотоиндуцированного заряда в полупроводниковых и диэлектрических структурах: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Пранайтис, Р. В. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1981 |
| Физические характеристики: |
12 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr28828710000 | ||
| 005 | 20070529184033.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [81-10952а] |
| 100 | # | # | $a 20070529d1981 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LT |
| 200 | 1 | # | $a Особенности переноса фотоиндуцированного заряда в полупроводниковых и диэлектрических структурах $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Вильнюс $d 1981 |
| 215 | # | # | $a 12 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Вильн. гос. ун-т им. В. Капсукаса. Библиогр.: с. 12 (7 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Пранайтис $b Р. В. $g Регимантас Вацлович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070529 $g psbo |